RADIATION-INDUCED TRIVALENT SILICON DEFECT BUILDUP AT THE SI-SIO2 INTERFACE IN MOS STRUCTURES

被引:61
作者
LENAHAN, PM [1 ]
BROWER, KL [1 ]
DRESSENDORFER, PV [1 ]
JOHNSON, WC [1 ]
机构
[1] PRINCETON UNIV, DEPT ELECT ENGN & COMP SCI, PRINCETON, NJ 08544 USA
关键词
D O I
10.1109/TNS.1981.4335683
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:4105 / 4106
页数:2
相关论文
共 16 条