学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
R F PLASMA DEPOSITION OF SILICON-NITRIDE LAYERS
被引:56
作者
:
HELIX, MJ
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
HELIX, MJ
VAIDYANATHAN, KV
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
VAIDYANATHAN, KV
STREETMAN, BG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
STREETMAN, BG
DIETRICH, HB
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
DIETRICH, HB
CHATTERJEE, PK
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
CHATTERJEE, PK
机构
:
[1]
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801
[2]
NAVAL RES LAB,WASHINGTON,DC 20375
[3]
TEXAS INSTRUMENTS INC,CENT RES LABS,DALLAS,TX 75222
来源
:
THIN SOLID FILMS
|
1978年
/ 55卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0040-6090(78)90082-2
中图分类号
:
T [工业技术];
学科分类号
:
08 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:143 / 148
页数:6
相关论文
共 24 条
[1]
BARROWCLIFF EE, 1977, TECHNICAL DIGEST INT, P559
[2]
HIGH-EFFICIENCY ION-IMPLANTED LO-HI-LO GAAS IMPATT DIODES
BOZLER, CO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
BOZLER, CO
DONNELLY, JP
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
DONNELLY, JP
MURPHY, RA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MURPHY, RA
LATON, RW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
LATON, RW
SUDBURY, RW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
SUDBURY, RW
LINDLEY, WT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
LINDLEY, WT
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
29
(02)
: 123
-
125
[3]
REDUCED LATERAL DIFFUSION AND REVERSE LEAKAGE IN BE-IMPLANTED GAAS1-XPX DIODES
CHATTERJEE, PK
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
CHATTERJEE, PK
STREETMAN, BG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
STREETMAN, BG
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1977,
20
(04)
: 305
-
&
[4]
CHATTERJEE PK, 1976, APPL PHYS LETT, V27, P567
[5]
DONNELLY JP, 1977, I PHYS C SER B, V33, P166
[6]
FOYT AG, 1969, APPL PHYS LETT, V14, P373
[7]
SELENIUM IMPLANTATION IN GAAS
GAMO, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
GAMO, K
INADA, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
INADA, T
KREKELER, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
KREKELER, S
MAYER, JW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
MAYER, JW
EISEN, FH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
EISEN, FH
WELCH, BM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
WELCH, BM
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1977,
20
(03)
: 213
-
217
[8]
PROPERTIES OF AMMONIA-FREE NITROGEN-SI3N4 FILMS PRODUCED AT LOW-TEMPERATURES
GERETH, R
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GERETH, R
SCHERBER, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SCHERBER, W
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1972,
119
(09)
: 1248
-
&
[9]
DIFFUSION OF GALLIUM THROUGH SILICON DIOXIDE LAYER
GROVE, AS
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GROVE, AS
LEISTIKO, O
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LEISTIKO, O
SAH, CT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SAH, CT
[J].
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,
1964,
25
(09)
: 985
-
&
[10]
OUTDIFFUSION THROUGH SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE LAYERS ON GALLIUM ARSENIDE
GYULAI, J
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GYULAI, J
MAYER, JW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MAYER, JW
MITCHELL, IV
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MITCHELL, IV
RODRIGUEZ, V
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
RODRIGUEZ, V
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1970,
17
(08)
: 332
-
+
←
1
2
3
→
共 24 条
[1]
BARROWCLIFF EE, 1977, TECHNICAL DIGEST INT, P559
[2]
HIGH-EFFICIENCY ION-IMPLANTED LO-HI-LO GAAS IMPATT DIODES
BOZLER, CO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
BOZLER, CO
DONNELLY, JP
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
DONNELLY, JP
MURPHY, RA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MURPHY, RA
LATON, RW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
LATON, RW
SUDBURY, RW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
SUDBURY, RW
LINDLEY, WT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
MIT LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173
LINDLEY, WT
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1976,
29
(02)
: 123
-
125
[3]
REDUCED LATERAL DIFFUSION AND REVERSE LEAKAGE IN BE-IMPLANTED GAAS1-XPX DIODES
CHATTERJEE, PK
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
CHATTERJEE, PK
STREETMAN, BG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801
STREETMAN, BG
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1977,
20
(04)
: 305
-
&
[4]
CHATTERJEE PK, 1976, APPL PHYS LETT, V27, P567
[5]
DONNELLY JP, 1977, I PHYS C SER B, V33, P166
[6]
FOYT AG, 1969, APPL PHYS LETT, V14, P373
[7]
SELENIUM IMPLANTATION IN GAAS
GAMO, K
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
GAMO, K
INADA, T
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
INADA, T
KREKELER, S
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
KREKELER, S
MAYER, JW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
MAYER, JW
EISEN, FH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
EISEN, FH
WELCH, BM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
CALTECH,PASADENA,CA 91109
WELCH, BM
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1977,
20
(03)
: 213
-
217
[8]
PROPERTIES OF AMMONIA-FREE NITROGEN-SI3N4 FILMS PRODUCED AT LOW-TEMPERATURES
GERETH, R
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GERETH, R
SCHERBER, W
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SCHERBER, W
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1972,
119
(09)
: 1248
-
&
[9]
DIFFUSION OF GALLIUM THROUGH SILICON DIOXIDE LAYER
GROVE, AS
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GROVE, AS
LEISTIKO, O
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LEISTIKO, O
SAH, CT
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
SAH, CT
[J].
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS,
1964,
25
(09)
: 985
-
&
[10]
OUTDIFFUSION THROUGH SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE LAYERS ON GALLIUM ARSENIDE
GYULAI, J
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
GYULAI, J
MAYER, JW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MAYER, JW
MITCHELL, IV
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MITCHELL, IV
RODRIGUEZ, V
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
RODRIGUEZ, V
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1970,
17
(08)
: 332
-
+
←
1
2
3
→