采用蒙特卡罗方法 ,对源料气体为CH4 H2 混合气的电子助进化学气相沉积 (EACVD)中的氢原子 (H)、碳原子(C)以及CH基团的发射过程进行了模拟 .研究了CH4 浓度、反应室气压和衬底偏压等工艺参数对发射光谱及成膜的影响 .研究发现 ,CH基团可能是有利于金刚石薄膜生长的活性基团 ,而碳原子不是 ;偏压的升高可提高电子平均温度及衬底表面附近氢原子的相对浓度 ;通过氢原子谱线可测定电子平均温度并找到最佳成膜实验条件 .该结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均温度 ,有效控制工艺条件 ,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要的意义 .