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半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性
被引：24
作者：
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机构:
田立强
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机构: 西安理工大学应用物理系
机构：
[1] 西安理工大学应用物理系
来源：
关键词：
砷化镓;
光电导开关;
击穿机理;
D O I：
暂无
中图分类号：
TN364 [半导体光电管];
学科分类号：
摘要：
研究了在不同触发条件下半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性 .当触发光能量和偏置电场不同时 ,半绝缘GaAs光电导开关的击穿损坏程度也不同 ,分别表现为完全击穿、不完全击穿和可恢复击穿三种类型 .通过对击穿实验结果的分析认为 ,电子俘获击穿机制是导致半绝缘GaAs光电导开关击穿损坏的主要原因 .偏置电场和陷阱电荷所产生热电子的数量和动能决定了Ga—As键的断裂程度 ,Ga—As键的断裂程度则反映半绝缘GaAs光电导开关的击穿类型
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