BiCMOS器件应用前景及其发展趋势

被引：8

作者：

王振宇

成立

高平

史宜巧

机构：

[1] 江苏大学电气与信息工程学院

来源：

电讯技术 | 2003年 / 04期

关键词：

双极互补金属氧化物半导体器件; 混合微电子技术; 工艺结构; 典型应用; 发展趋势;

D O I：

暂无

中图分类号：

TN432 [场效应型];

学科分类号：

摘要：

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。

引用

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页数：6

共 12 条

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