INVESTIGATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON LAYERS BY ELECTRON-MICROSCOPY AND X-RAY-DIFFRACTION

被引：10

作者：

HORIUCHI, S ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90176-8

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1111 / &

共 7 条

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