CHEMICAL PROCESSES INVOLVED IN THE ETCHING OF SILICON BY XENON DIFLUORIDE

被引:36
作者
DAGATA, JA
SQUIRE, DW
DULCEY, CS
HSU, DSY
LIN, MC
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 05期
关键词
D O I
10.1116/1.583662
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:1495 / 1500
页数:6
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