OXIDATION-INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON .1. NUCLEATION PHENOMENON

被引:105
作者
RAVI, KV [1 ]
VARKER, CJ [1 ]
机构
[1] MOTOROLA INC,SEMICONDUC PROD DIV,MAT RES LAB,5005 E MCDOWELL RD,PHOENIX,AZ 85008
关键词
D O I
10.1063/1.1662971
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:263 / 271
页数:9
相关论文
共 22 条