NONSELECTIVE ETCHING OF GAAS ALGAAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASER FACETS BY CL-2 REACTIVE ION ETCHING IN A LOAD-LOCKED SYSTEM

被引:42
作者
VAWTER, GA
COLDREN, LA
MERZ, JL
HU, EL
机构
关键词
D O I
10.1063/1.98899
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:719 / 721
页数:3
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