ELIMINATION OF STACKING-FAULTS IN SILICON BY TRICHLOROETHYLENE OXIDATION

被引:40
作者
HATTORI, T [1 ]
机构
[1] SONY CORP,RES CTR,HODOGAYA KU,YOKOHAMA 240,JAPAN
关键词
D O I
10.1149/1.2132974
中图分类号
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
081704 ;
摘要
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页数:2
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