ANNEALING BEHAVIOR OF UNIMPLANTED AND ZINC-IMPLANTED GAAS

被引:5
作者
ITOH, T [1 ]
KASAHARA, J [1 ]
机构
[1] WASEDA UNIV,SCH SCI & ENGN,SHINJUKU KU,TOKYO,JAPAN
关键词
D O I
10.1063/1.1663154
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页数:5
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