ELECTRON TRAPPING LEVELS IN RF-SPUTTERED TA2O5 FILMS

被引:30
作者
SEKI, S
UNAGAMI, T
TSUJIYAMA, B
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1983年 / 1卷 / 04期
关键词
D O I
10.1116/1.572222
中图分类号
TB3 [工程材料学];
学科分类号
0805 ; 080502 ;
摘要
引用
收藏
页码:1825 / 1830
页数:6
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