THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF ION-IMPLANTED COMPOUND SEMICONDUCTORS

被引:106
作者
DONNELLY, JP
机构
来源
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1981年 / 182卷 / APR期
关键词
D O I
10.1016/0029-554X(81)90777-1
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
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页码:553 / 571
页数:19
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