半导体装置制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980070426.5

申请日：

2019-10-18

公开(公告)号：

CN112913016A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

辻直子

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

C09J17102 C09J18304 C09J20100 H01L21304 H01L213065 H01L213205 H01L21768 H01L23522 H01L2507 H01L2518

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

杨薇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

日本专利 :CN112913016B ,2024-02-13

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

能木孝男 ;

木谷智之 ;

东条启 ;

菅谦太郎 .

中国专利 :CN101834148A ,2010-09-15

[3]

半导体装置的制造方法 [P].

芳村淳 ;

大久保忠宣 ;

大西茂尊 .

中国专利 :CN101038891B ,2007-09-19

[4]

半导体装置及其制造方法及制造装置 [P].

黑泽哲也 ;

田久真也 ;

友野章 .

中国专利 :CN102610566B ,2012-07-25

[5]

半导体装置的制造方法和半导体制造装置 [P].

三井贵彦 ;

山本荣一 .

中国专利 :CN107866724A ,2018-04-03

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

成田勝俊 .

中国专利 :CN106920774B ,2017-07-04

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

沼口浩之 .

中国专利 :CN103681238B ,2014-03-26

[8]

半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法 [P].

町田信夫 .

中国专利 :CN114868231A ,2022-08-05

[9]

半导体装置的制造方法、半导体装置、及叠层半导体装置 [P].

深泽元彦 .

中国专利 :CN100413051C ,2006-08-02

[10]

半导体装置、半导体装置的制造方法和粘接剂 [P].

本田一尊 ;

柳田裕贵 ;

上野惠子 .

中国专利 :CN111480218A ,2020-07-31

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	公开	公开
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20191018