半导体装置制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980070426.5

申请日：

2019-10-18

公开(公告)号：

CN112913016A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

辻直子

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L25065

IPC分类号：

C09J17102 C09J18304 C09J20100 H01L21304 H01L213065 H01L213205 H01L21768 H01L23522 H01L2507 H01L2518

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

杨薇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[41]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

中国专利 :CN112912993A ,2021-06-04

[42]

半导体装置制造方法 [P].

辻直子 .

中国专利 :CN112913015A ,2021-06-04

[43]

半导体装置、半导体装置的制造方法以及带有粘接剂层的半导体晶片 [P].

满仓一行 ;

川守崇司 ;

增子崇 ;

加藤木茂树 ;

藤井真二郎 .

中国专利 :CN102687257A ,2012-09-19

[44]

带粘接剂层的半导体晶片、半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

森修一 .

中国专利 :CN103250235A ,2013-08-14

[45]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

中岛一敬 ;

野尻祐二 ;

野口贵也 .

日本专利 :CN119069387A ,2024-12-03

[46]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

古林爱 ;

桥本隆希 ;

郭彦廷 .

日本专利 :CN118448287A ,2024-08-06

[47]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

山口欣秀 .

日本专利 :CN117918037A ,2024-04-23

[48]

半导体装置的制造方法及半导体制造装置 [P].

志摩真也 ;

高桥健司 .

中国专利 :CN105990207B ,2016-10-05

[49]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

藤田努 ;

杉沢佳史 .

中国专利 :CN104425334B ,2015-03-18

[50]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

田中阳子 .

中国专利 :CN103871863A ,2014-06-18

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	公开	公开
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20191018