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半导体装置制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980070426.5
申请日：
2019-10-18
公开(公告)号：
CN112913016A
公开(公告)日：
2021-06-04
发明(设计)人：
辻直子
申请人：
申请人地址：
日本大阪府
IPC主分类号：
H01L25065
IPC分类号：
C09J17102 C09J18304 C09J20100 H01L21304 H01L213065 H01L213205 H01L21768 H01L23522 H01L2507 H01L2518
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
杨薇
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-06-04 公开 公开
2021-06-22 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/065 申请日:20191018
共 50 条
[21]
半导体装置的制造方法 [P]. 
千岁裕之 ;
高本尚英 ;
盛田浩介 .
中国专利 :CN103137501A ,2013-06-05
[22]
半导体装置的制造方法 [P]. 
片村幸雄 ;
种泰雄 ;
芳村淳 ;
岩见文宏 .
中国专利 :CN102487045A ,2012-06-06
[23]
半导体装置的制造方法 [P]. 
辻直子 .
中国专利 :CN112204738A ,2021-01-08
[24]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
小林丰雄 .
中国专利 :CN1199259C ,2003-09-10
[25]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
山崎浩次 ;
加东智明 .
中国专利 :CN109478517A ,2019-03-15
[26]
半导体装置的制造方法 [P]. 
小田高司 ;
高本尚英 ;
千岁裕之 .
中国专利 :CN102842512A ,2012-12-26
[27]
半导体装置的制造方法 [P]. 
千叶祐毅 .
中国专利 :CN1710703A ,2005-12-21
[28]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
松原宽明 ;
近井智哉 ;
石堂仁则 ;
中村卓 ;
本多广一 ;
出町浩 ;
熊谷欣一 ;
作元祥太朗 ;
渡边真司 ;
细山田澄和 ;
中村慎吾 ;
宫腰武 ;
岩崎俊宽 ;
玉川道昭 .
日本专利 :CN110517964B ,2024-04-30
[29]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
松原宽明 ;
近井智哉 ;
石堂仁则 ;
中村卓 ;
本多广一 ;
出町浩 ;
熊谷欣一 ;
作元祥太朗 ;
渡边真司 ;
细山田澄和 ;
中村慎吾 ;
宫腰武 ;
岩崎俊宽 ;
玉川道昭 .
中国专利 :CN110517964A ,2019-11-29
[30]
半导体装置的制造方法 [P]. 
盛田浩介 ;
高本尚英 ;
千岁裕之 .
中国专利 :CN103165474A ,2013-06-19
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