倒装发光二极管芯片及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010227109.4
申请日
2020-03-27
公开(公告)号
CN111540818A
公开(公告)日
2020-08-14
发明(设计)人
兰叶 黄磊 张威 吴志浩 李鹏
申请人
申请人地址
322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
IPC主分类号
H01L3336
IPC分类号
H01L3340 H01L3342 H01L3344 H01L3300
代理机构
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
吕耀萍
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[21]
倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P]. 
兰叶 ;
陶羽宇 ;
常远 ;
吴志浩 .
中国专利 :CN110265521B ,2019-09-20
[22]
倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制作方法 [P]. 
刘岩 ;
闫宝玉 ;
刘宇轩 ;
陈顺利 .
中国专利 :CN110085732A ,2019-08-02
[23]
一种发光二极管芯片及其制作方法 [P]. 
兰叶 ;
顾小云 .
中国专利 :CN108682727A ,2018-10-19
[24]
一种发光二极管芯片及其制作方法 [P]. 
尹灵峰 ;
高艳龙 ;
马磊 ;
王江波 .
中国专利 :CN109786528A ,2019-05-21
[25]
一种发光二极管芯片及其制作方法 [P]. 
兰叶 ;
顾小云 ;
吴志浩 ;
王江波 .
中国专利 :CN108400215A ,2018-08-14
[26]
一种倒装发光二极管芯片的制作方法 [P]. 
兰叶 ;
顾小云 .
中国专利 :CN109346564B ,2019-02-15
[27]
发光二极管芯片、发光二极管 [P]. 
尹灵峰 ;
吴志浩 ;
高艳龙 ;
魏柏林 ;
王江波 .
中国专利 :CN209766464U ,2019-12-10
[28]
倒装发光二极管芯片及其制备方法 [P]. 
赵进超 ;
沈丹萍 ;
李超 ;
马新刚 ;
李东昇 .
中国专利 :CN111653654A ,2020-09-11
[29]
倒装发光二极管芯片及其制备方法 [P]. 
赵进超 ;
沈丹萍 ;
李超 ;
马新刚 ;
李东昇 .
中国专利 :CN111653654B ,2024-12-13
[30]
发光二极管芯片 [P]. 
洪梓健 ;
沈佳辉 ;
彭建忠 .
中国专利 :CN104183681A ,2014-12-03