倒装发光二极管芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010227109.4

申请日：

2020-03-27

公开(公告)号：

CN111540818A

公开(公告)日：

2020-08-14

发明(设计)人：

兰叶黄磊张威吴志浩李鹏

申请人：

申请人地址：

322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

IPC主分类号：

H01L3336

IPC分类号：

H01L3340 H01L3342 H01L3344 H01L3300

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	授权	授权
2020-09-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/36 申请日:20200327
2020-08-14	公开	公开

共 50 条

[1]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111446341B ,2020-07-24

[2]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

黄磊 ;

张威 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN111769190B ,2020-10-13

[3]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

[4]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[5]

发光二极管芯片的制作方法及发光二极管芯片 [P].

兰叶 ;

顾小云 .

中国专利 :CN110246934A ,2019-09-17

[6]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247B ,2024-01-30

[7]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

兰叶 ;

吴志浩 ;

李鹏 .

中国专利 :CN112216782A ,2021-01-12

[8]

发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN113964247A ,2022-01-21

[9]

倒装发光二极管芯片及其制作方法 [P].

熊伟平 ;

杨恕帆 ;

杨美佳 ;

吴俊毅 ;

吴超瑜 ;

王笃祥 .

中国专利 :CN106025028B ,2016-10-12

[10]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085719A ,2019-08-02

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