金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010549104.3

申请日：

2020-06-16

公开(公告)号：

CN113809182A

公开(公告)日：

2021-12-17

发明(设计)人：

贺家煜宁策李正亮胡合合黄杰赵坤姚念琦

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2910 H01L2712 H01L2134

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

王辉;阚梓瑄

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20200616
2021-12-17	公开	公开

共 50 条

[41]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示器 [P].

林钦遵 ;

黄贵华 .

中国专利 :CN108711548A ,2018-10-26

[42]

金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

钟德镇 ;

刘仕彬 .

中国专利 :CN109037150B ,2018-12-18

[43]

一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

王海宏 ;

焦峰 .

中国专利 :CN103337522A ,2013-10-02

[44]

一种双栅电极金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

王大鹏 ;

赵文静 ;

刘生忠 .

中国专利 :CN107104151A ,2017-08-29

[45]

一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

林振国 ;

铃木浩司 ;

谢志强 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN108269856A ,2018-07-10

[46]

一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

徐苗 ;

罗东向 ;

李洪濛 ;

庞佳威 ;

郭颖 ;

王琅 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN103236443A ,2013-08-07

[47]

一种金属氧化物薄膜晶体管驱动背板及其制备方法 [P].

徐苗 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

陶洪 ;

邹建华 .

中国专利 :CN106229329A ,2016-12-14

[48]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

崔贤植 ;

林允植 .

中国专利 :CN103545378A ,2014-01-29

[49]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

钟德镇 ;

邵金凤 ;

戴文君 .

中国专利 :CN103579361A ,2014-02-12

[50]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

肖鹏 .

中国专利 :CN103311313A ,2013-09-18

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