共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
制造半导体结构及可控制氧化层厚度的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010949573.4
申请日：
2020-09-10
公开(公告)号：
CN112670155B
公开(公告)日：
2024-04-26
发明(设计)人：
孙文堂
黎俊霄
申请人：
力旺电子股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/28
H01L29/423
代理机构：
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223
代理人：
江耀纯
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-26 | 授权 | 授权 |