碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510434978.3

申请日：

2015-07-22

公开(公告)号：

CN105304702B

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

内田光亮日吉透

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	授权	授权
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708963355 IPC(主分类):H01L 29/772 专利申请号:2015104349783 申请日:20150722
2016-02-03	公开	公开

共 50 条

[41]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

和田圭司 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104126229A ,2014-10-29

[42]

碳化硅半导体器件 [P].

原田真 ;

玉祖秀人 ;

畑山智亮 .

中国专利 :CN102171827A ,2011-08-31

[43]

碳化硅半导体器件 [P].

林秀树 .

中国专利 :CN103620780A ,2014-03-05

[44]

碳化硅半导体器件 [P].

颜诚廷 .

中国专利 :CN112216746A ,2021-01-12

[45]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

日吉透 ;

增田健良 .

中国专利 :CN104205339B ,2014-12-10

[46]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104380472B ,2015-02-25

[47]

碳化硅半导体器件 [P].

袁俊 .

中国专利 :CN216120213U ,2022-03-22

[48]

碳化硅半导体器件 [P].

片冈光浩 ;

竹内有一 ;

内藤正美 ;

拉杰什·库马尔 ;

松波弘之 ;

木本恒畅 .

中国专利 :CN1481030A ,2004-03-10

[49]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 .

日本专利 :CN118974943A ,2024-11-15

[50]

碳化硅半导体器件 [P].

铃木拓马 ;

河野洋志 ;

四户孝 .

中国专利 :CN101933146A ,2010-12-29

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