碳化硅半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510434978.3
申请日
2015-07-22
公开(公告)号
CN105304702B
公开(公告)日
2016-02-03
发明(设计)人
内田光亮 日吉透
申请人
申请人地址
日本大阪府大阪市
IPC主分类号
H01L29772
IPC分类号
H01L2978
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
李兰;孙志湧
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
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碳化硅半导体器件 [P]. 
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高谷秀史 ;
渡边行彦 ;
副岛成雅 ;
石川刚 .
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[13]
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日吉透 .
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