碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510434978.3

申请日：

2015-07-22

公开(公告)号：

CN105304702B

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

内田光亮日吉透

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	授权	授权
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708963355 IPC(主分类):H01L 29/772 专利申请号:2015104349783 申请日:20150722
2016-02-03	公开	公开

共 50 条

[21]

碳化硅半导体器件 [P].

今井文一 .

中国专利 :CN104247024B ,2014-12-24

[22]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

内田光亮 ;

增田健良 .

中国专利 :CN106449380A ,2017-02-22

[23]

碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 ;

堀井拓 ;

内田光亮 .

中国专利 :CN106796886A ,2017-05-31

[24]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104854704A ,2015-08-19

[25]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

香川泰宏 ;

田中梨菜 ;

福井裕 ;

海老原洪平 ;

日野史郎 .

中国专利 :CN105474402B ,2016-04-06

[26]

碳化硅半导体器件的制造方法 [P].

藤川一洋 .

中国专利 :CN101529598A ,2009-09-09

[27]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

增田健良 .

中国专利 :CN105556675A ,2016-05-04

[28]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

穗永美纱子 ;

增田健良 .

中国专利 :CN103548144A ,2014-01-29

[29]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

登尾正人 ;

山本建策 ;

松木英夫 ;

高谷秀史 ;

杉本雅裕 ;

副岛成雅 ;

石川刚 ;

渡边行彦 .

中国专利 :CN102844867A ,2012-12-26

[30]

碳化硅半导体器件及其制造方法 [P].

久保田良辅 ;

山田俊介 ;

堀井拓 ;

增田健良 ;

滨岛大辅 ;

田中聪 ;

木村真二 ;

小林正幸 .

中国专利 :CN105706221B ,2016-06-22

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