碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510434978.3

申请日：

2015-07-22

公开(公告)号：

CN105304702B

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

内田光亮日吉透

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-23	授权	授权
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708963355 IPC(主分类):H01L 29/772 专利申请号:2015104349783 申请日:20150722
2016-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件 [P].

日吉透 ;

增田健良 ;

和田圭司 ;

筑野孝 .

中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102859697A ,2013-01-02

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

斋藤雄 .

日本专利 :CN118648120A ,2024-09-13

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103765594B ,2014-04-30

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693824A ,2024-03-12

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693823A ,2024-03-12

[8]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[9]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

[10]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

斋藤雄 ;

林秀树 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22

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