一种高效率氮化镓基发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620471049.X

申请日：

2016-05-23

公开(公告)号：

CN205752221U

公开(公告)日：

2016-11-30

发明(设计)人：

张自锋余建立

申请人：

申请人地址：

238000 安徽省合肥市巢湖市半汤镇

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3336 H01L3348 H01L3360

代理机构：

合肥天明专利事务所 34115

代理人：

金凯

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20160523 授权公告日:20161130 终止日期:20190523
2016-11-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367347U ,2013-12-25

[2]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[3]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN103413881A ,2013-11-27

[4]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[5]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN201060874Y ,2008-05-14

[6]

一种高光效氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367349U ,2013-12-25

[7]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[8]

一种高光效氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN103413882A ,2013-11-27

[9]

氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN1738066A ,2006-02-22

[10]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN206610823U ,2017-11-03

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