一种高光效氮化镓基发光二极管芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310351307.1

申请日：

2013-08-14

公开(公告)号：

CN103413882A

公开(公告)日：

2013-11-27

发明(设计)人：

张向飞刘坚

申请人：

申请人地址：

223000 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3344

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

淮安市科文知识产权事务所 32223

代理人：

谢观素

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	公开	公开
2015-02-11	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101710692232 IPC(主分类):H01L 33/44 专利申请号:2013103513071 申请公布日:20131127

共 50 条

[1]

一种高光效氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367349U ,2013-12-25

[2]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN103413881A ,2013-11-27

[3]

一种氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张向飞 ;

刘坚 .

中国专利 :CN203367347U ,2013-12-25

[4]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN2849976Y ,2006-12-20

[5]

氮化镓基发光二极管芯片 [P].

刘榕 ;

张建宝 ;

郑如定 ;

徐韬 .

中国专利 :CN101315964B ,2008-12-03

[6]

氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法 [P].

王孟源 ;

陈国聪 .

中国专利 :CN101604715A ,2009-12-16

[7]

功率型氮化镓基发光二极管芯片 [P].

牛萍娟 ;

李艳玲 ;

李晓云 ;

刘宏伟 ;

王小丽 .

中国专利 :CN201060874Y ,2008-05-14

[8]

一种高效率氮化镓基发光二极管芯片 [P].

张自锋 ;

余建立 .

中国专利 :CN205752221U ,2016-11-30

[9]

氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法 [P].

李炳乾 ;

李炳田 .

中国专利 :CN1738066A ,2006-02-22

[10]

氮化镓基发光二极管 [P].

潘群峰 ;

吴志强 ;

林科闯 .

中国专利 :CN101494266A ,2009-07-29

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