等离子体处理方法及等离子体处理装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710088374.3
申请日
2007-03-16
公开(公告)号
CN100495641C
公开(公告)日
2007-09-19
发明(设计)人
小笠原幸辅 齐藤进 野泽秀二
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L2100
IPC分类号
H01L213065 H01L21311 H01L213213 H01L2166 C23F400 H01J3732
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人
龙 淳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
王斌 ;
三村裕一 .
中国专利 :CN1505113A ,2004-06-16
[2]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
中国专利 :CN105103274A ,2015-11-25
[3]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
佐藤阳介 ;
宇井明生 ;
林久贵 .
中国专利 :CN105280489A ,2016-01-27
[4]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
有田洁 ;
岩井哲博 ;
寺山纯一 .
中国专利 :CN1516890A ,2004-07-28
[5]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
佐藤阳介 ;
宇井明生 ;
酒井伊都子 .
中国专利 :CN107591308A ,2018-01-16
[6]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
平山昌树 ;
大见忠弘 .
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[7]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
吉田绚 ;
河野和则 .
中国专利 :CN114496709A ,2022-05-13
[8]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
青木裕介 ;
森北信也 ;
户花敏胜 ;
高田郁弥 .
中国专利 :CN111477531A ,2020-07-31
[9]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
岩濑拓 ;
荒濑高男 ;
寺仓聪志 ;
渡边勇人 ;
森政士 .
中国专利 :CN111373511A ,2020-07-03
[10]
等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
舆水地盐 ;
广津信 ;
池田武信 ;
永海幸一 ;
桧森慎司 .
日本专利 :CN119153303A ,2024-12-17