等离子体处理方法及等离子体处理装置

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专利类型
发明
申请号
CN200310118222.5
申请日
2003-12-05
公开(公告)号
CN1505113A
公开(公告)日
2004-06-16
发明(设计)人
王斌 三村裕一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L213065
IPC分类号
H01L2100 H05H100
代理机构
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人
龙淳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
小笠原幸辅 ;
齐藤进 ;
野泽秀二 .
中国专利 :CN100495641C ,2007-09-19
[2]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
橘内浩之 ;
田中润一 ;
山本秀之 .
中国专利 :CN1525538A ,2004-09-01
[3]
等离子体处理方法和等离子体处理装置 [P]. 
洼田真树 ;
满留和也 .
日本专利 :CN120565381A ,2025-08-29
[4]
等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置、等离子体处理方法及等离子体处理装置 [P]. 
森口尚树 .
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[5]
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佐藤阳介 ;
宇井明生 ;
林久贵 .
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[6]
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有田洁 ;
岩井哲博 ;
寺山纯一 .
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[7]
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佐藤阳介 ;
宇井明生 ;
酒井伊都子 .
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[8]
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平山昌树 ;
大见忠弘 .
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[9]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
吉田绚 ;
河野和则 .
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[10]
等离子体处理装置及等离子体处理方法 [P]. 
青木裕介 ;
森北信也 ;
户花敏胜 ;
高田郁弥 .
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