衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010487579.4
申请日
2020-06-02
公开(公告)号
CN111607825A
公开(公告)日
2020-09-01
发明(设计)人
刘良宏 许彬 张海涛
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区漓江路11号
IPC主分类号
C30B2940
IPC分类号
C30B2518 B82Y4000
代理机构
六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139
代理人
朱小杰
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[21]
叠设高掺杂层的GaN单晶衬底 [P]. 
顾泓 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN214830784U ,2021-11-23
[22]
一种自分离制备GaN单晶衬底的方法 [P]. 
刘南柳 ;
王琦 ;
姜永京 ;
徐忱文 ;
张国义 .
中国专利 :CN111430218B ,2020-07-17
[23]
GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法 [P]. 
藤原伸介 ;
上松康二 ;
长田英树 ;
中畑成二 .
中国专利 :CN102011191A ,2011-04-13
[24]
一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法 [P]. 
王斌 ;
于广辉 ;
赵智德 ;
徐伟 ;
隋妍萍 .
中国专利 :CN103114323B ,2013-05-22
[25]
制备GaN衬底的自分离方法 [P]. 
修向前 ;
李悦文 ;
张荣 ;
华雪梅 ;
谢自力 ;
陈鹏 ;
刘斌 ;
施毅 ;
郑有炓 .
中国专利 :CN109023515A ,2018-12-18
[26]
一种利用激光处理衬底生长低应力自支撑GaN单晶的方法 [P]. 
郝霄鹏 ;
胡海啸 ;
邵永亮 ;
吴拥中 ;
霍勤 ;
张保国 .
中国专利 :CN108315823A ,2018-07-24
[27]
GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P]. 
入仓正登 ;
中畑成二 .
中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27
[28]
氮化镓单晶衬底的制备方法 [P]. 
卢敬权 ;
庄文荣 ;
孙明 .
中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13
[29]
氮化镓单晶衬底的制备方法 [P]. 
卢敬权 ;
庄文荣 ;
孙明 .
中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18
[30]
在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法 [P]. 
郝霄鹏 ;
田媛 ;
邵永亮 ;
吴拥中 ;
张雷 ;
戴元滨 ;
霍勤 .
中国专利 :CN103882526B ,2014-06-25