衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010487579.4
申请日
2020-06-02
公开(公告)号
CN111607825A
公开(公告)日
2020-09-01
发明(设计)人
刘良宏 许彬 张海涛
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区漓江路11号
IPC主分类号
C30B2940
IPC分类号
C30B2518 B82Y4000
代理机构
六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139
代理人
朱小杰
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[41]
一种制备氮化镓单晶衬底的方法 [P]. 
张国义 ;
康香宁 ;
吴洁君 ;
赵璐冰 ;
童玉珍 ;
杨志坚 .
中国专利 :CN100505165C ,2007-07-11
[42]
在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 [P]. 
刘祥林 ;
焦春美 ;
于英仪 ;
赵凤瑗 .
中国专利 :CN1779910A ,2006-05-31
[43]
氮化镓单晶衬底及其制造方法 [P]. 
元木健作 ;
冈久拓司 ;
松本直树 ;
松岛政人 .
中国专利 :CN1148810C ,1999-12-08
[44]
一种在任意自支撑衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法 [P]. 
杨学林 ;
沈波 ;
刘丹烁 ;
沈剑飞 ;
蔡子东 ;
陈正昊 ;
马骋 .
中国专利 :CN113206003B ,2021-08-03
[45]
一种GaN复合衬底制备方法 [P]. 
甘志银 ;
刘胜 ;
严晗 ;
汪沛 ;
吕强 .
中国专利 :CN105719946A ,2016-06-29
[46]
一种以H3PO4腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法 [P]. 
郝霄鹏 ;
邵永亮 ;
张雷 ;
吴拥中 ;
张浩东 .
中国专利 :CN102418143A ,2012-04-18
[47]
多孔结构及单晶衬底的制备方法 [P]. 
庄文荣 ;
张锐华 ;
卢敬权 .
中国专利 :CN117888204A ,2024-04-16
[48]
多孔结构及单晶衬底的制备方法 [P]. 
庄文荣 ;
卢敬权 .
中国专利 :CN117888188A ,2024-04-16
[49]
氮化镓(11-22)单晶衬底及其制备方法 [P]. 
任玉娇 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN112899784B ,2021-06-04
[50]
自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P]. 
任俊杰 ;
王帅 .
中国专利 :CN113903655B ,2025-12-05