衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010487579.4

申请日：

2020-06-02

公开(公告)号：

CN111607825A

公开(公告)日：

2020-09-01

发明(设计)人：

刘良宏许彬张海涛

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区漓江路11号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2518 B82Y4000

代理机构：

六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139

代理人：

朱小杰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/40 申请公布日:20200901
2020-09-01	公开	公开
2020-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20200602

共 50 条

[1]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[2]

一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 [P].

王斌 ;

于广辉 ;

赵志德 ;

徐伟 ;

张燕辉 ;

陈志蓥 ;

隋妍萍 .

中国专利 :CN103928583A ,2014-07-16

[3]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[4]

GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN101404248B ,2009-04-08

[5]

一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法 [P].

张雷 ;

齐占国 ;

俞娇仙 ;

王守志 ;

王国栋 ;

刘磊 .

中国专利 :CN115992385B ,2025-03-14

[6]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 ;

西本达也 .

中国专利 :CN1240304A ,2000-01-05

[7]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1283306A ,2001-02-07

[8]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1542992A ,2004-11-03

[9]

制备自支撑GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023516A ,2018-12-18

[10]

高散热的GaN单晶衬底及其制备方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

梁智文 ;

姜永京 ;

张国义 .

中国专利 :CN112164976A ,2021-01-01

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