生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220069821.7

申请日：

2012-02-28

公开(公告)号：

CN202454605U

公开(公告)日：

2012-09-26

发明(设计)人：

李国强杨慧

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

杨晓松

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	授权	授权
2022-03-18	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20120228 授权公告日:20120926

共 50 条

[41]

生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨美娟 ;

林云昊 .

中国专利 :CN206225395U ,2017-06-06

[42]

生长在Cu衬底的AlN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203983318U ,2014-12-03

[43]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及含该GaN薄膜的电器元件 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203179936U ,2013-09-04

[44]

生长在Cu衬底的GaN薄膜及其制备方法和应用 [P].

李国强 .

中国专利 :CN103996613A ,2014-08-20

[45]

生长在玻璃衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

王文樑 .

中国专利 :CN206422088U ,2017-08-18

[46]

生长在Ag衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895486U ,2014-10-22

[47]

生长在Zr衬底上的LED外延片 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983321U ,2014-12-03

[48]

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104134727A ,2014-11-05

[49]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN203826398U ,2014-09-10

[50]

一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

李景灵 .

中国专利 :CN204834639U ,2015-12-02

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