生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220069821.7

申请日：

2012-02-28

公开(公告)号：

CN202454605U

公开(公告)日：

2012-09-26

发明(设计)人：

李国强杨慧

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

杨晓松

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	授权	授权
2022-03-18	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20120228 授权公告日:20120926

共 50 条

[21]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 .

中国专利 :CN203339209U ,2013-12-11

[22]

生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法 [P].

王文樑 ;

黄星悦 ;

李国强 .

中国专利 :CN114875492A ,2022-08-09

[23]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[24]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910838U ,2014-10-29

[25]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[26]

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983322U ,2014-12-03

[27]

生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨美娟 .

中国专利 :CN206834195U ,2018-01-02

[28]

生长在Zr衬底上的AlN薄膜 [P].

李国强 ;

刘作莲 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130575U ,2015-01-28

[29]

生长在蓝宝石衬底上的高均匀性GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204045614U ,2014-12-24

[30]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN203288608U ,2013-11-13

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