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生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201220069821.7
申请日
:
2012-02-28
公开(公告)号
:
CN202454605U
公开(公告)日
:
2012-09-26
发明(设计)人
:
李国强
杨慧
申请人
:
申请人地址
:
510641 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号
:
H01L3312
IPC分类号
:
代理机构
:
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人
:
杨晓松
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-09-26
授权
授权
2022-03-18
专利权的终止
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20120228 授权公告日:20120926
共 50 条
[1]
生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨慧
.
中国专利
:CN203085631U
,2013-07-24
[2]
生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨慧
.
中国专利
:CN102544276A
,2012-07-04
[3]
生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨慧
.
中国专利
:CN202576646U
,2012-12-05
[4]
生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨慧
.
中国专利
:CN103031595B
,2013-04-10
[5]
生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨慧
.
中国专利
:CN203085628U
,2013-07-24
[6]
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
杨慧
.
中国专利
:CN203085627U
,2013-07-24
[7]
生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
王海燕
论文数:
0
引用数:
0
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0
王海燕
;
杨为家
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨为家
.
中国专利
:CN206834194U
,2018-01-02
[8]
生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜及其制备方法
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨慧
.
中国专利
:CN102560675A
,2012-07-11
[9]
生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
杨慧
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨慧
.
中国专利
:CN103035795A
,2013-04-10
[10]
一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱及其制备方法
[P].
李国强
论文数:
0
引用数:
0
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0
李国强
;
王海燕
论文数:
0
引用数:
0
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0
王海燕
;
林志霆
论文数:
0
引用数:
0
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0
林志霆
.
中国专利
:CN106531851B
,2017-03-22
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