生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201220069821.7
申请日
2012-02-28
公开(公告)号
CN202454605U
公开(公告)日
2012-09-26
发明(设计)人
李国强 杨慧
申请人
申请人地址
510641 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号
H01L3312
IPC分类号
代理机构
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人
杨晓松
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN203085631U ,2013-07-24
[2]
生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN102544276A ,2012-07-04
[3]
生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN202576646U ,2012-12-05
[4]
生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN103031595B ,2013-04-10
[5]
生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN203085628U ,2013-07-24
[6]
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN203085627U ,2013-07-24
[7]
生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱 [P]. 
李国强 ;
王海燕 ;
杨为家 .
中国专利 :CN206834194U ,2018-01-02
[8]
生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN102560675A ,2012-07-11
[9]
生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
杨慧 .
中国专利 :CN103035795A ,2013-04-10
[10]
一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
王海燕 ;
林志霆 .
中国专利 :CN106531851B ,2017-03-22