物理气相沉积的靶结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810722214.8

申请日：

2018-06-29

公开(公告)号：

CN109207940A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

陈秉源陈宏政谢志轩王御轩

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

C23C1450

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

顾伯兴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/34 申请公布日:20190115
2019-01-15	公开	公开

共 50 条

[1]

物理气相沉积靶构造 [P].

S·费拉斯 ;

F·阿尔福德 ;

金在衍 ;

S·I·格拉布梅尔 ;

S·D·斯特罗瑟尔斯 ;

A·N·A·雷格 ;

R·M·普拉特 ;

W·H·霍尔特 ;

M·D·佩顿 .

中国专利 :CN1910304A ,2007-02-07

[2]

物理气相沉积靶 [P].

C·T·吴 ;

W·易 ;

F·B·希登 .

中国专利 :CN101109068B ,2008-01-23

[3]

物理气相沉积设备的靶材单元及物理气相沉积设备 [P].

杨涛 ;

黄云岭 .

中国专利 :CN208594329U ,2019-03-12

[4]

物理气相沉积靶材组件 [P].

肖文 ;

桑杰·巴特 ;

刘树围 ;

维布什·金达尔 .

中国专利 :CN113330139A ,2021-08-31

[5]

物理气相沉积设备、物理气相沉积工艺的控制方法 [P].

杨帆 .

中国专利 :CN118854231B ,2025-11-11

[6]

物理气相沉积设备、物理气相沉积工艺的控制方法 [P].

杨帆 .

中国专利 :CN118854231A ,2024-10-29

[7]

物理气相沉积腔室靶材的主体 [P].

大卫·冈瑟 ;

基兰库马尔·N·萨凡迪亚 ;

宋佼 ;

玛丹·K·希莫加迈拉拉帕 ;

崔玥 ;

陈彦竹 ;

吴梦雪 .

美国专利 :CN308886421S ,2024-10-15

[8]

物理气相沉积装置 [P].

章星 ;

熊攀 ;

李远 ;

万先进 .

中国专利 :CN111733391A ,2020-10-02

[9]

物理气相沉积装置 [P].

陈鹏 ;

赵梦欣 ;

丁培军 ;

王厚工 ;

武学伟 ;

刘建生 ;

耿波 ;

邱国庆 ;

文莉辉 .

中国专利 :CN103849848A ,2014-06-11

[10]

物理气相沉积设备及物理气相沉积工艺 [P].

边国栋 .

中国专利 :CN103572211B ,2014-02-12

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