用于半导体元件的电容器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510118089.2

申请日：

2005-10-25

公开(公告)号：

CN1794456A

公开(公告)日：

2006-06-28

发明(设计)人：

吴平源金愚镇吴勋静尹孝根尹孝燮催佰一

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L27102 H01L2710 H01L2700 H01L2992 H01L218242 H01L218222 H01L2182 H01L21314 H01L2102 H01L2100

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

制造半导体器件电容器的方法和半导体器件电容器 [P].

金京民 ;

金东俊 ;

李光云 .

中国专利 :CN1819155A ,2006-08-16

[2]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

李泰赫 .

中国专利 :CN1279513A ,2001-01-10

[3]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

金东俊 .

中国专利 :CN1168144C ,2001-01-17

[4]

半导体元件的电容器及其制造方法 [P].

李起正 ;

洪炳涉 .

中国专利 :CN1384539A ,2002-12-11

[5]

电容器元件、半导体器件及其制造方法 [P].

南相釪 .

中国专利 :CN1979850B ,2007-06-13

[6]

半导体存储元件的电容器及其制造方法 [P].

朱光喆 ;

李起正 ;

韩一根 .

中国专利 :CN1280392A ,2001-01-17

[7]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1716534A ,2006-01-04

[8]

形成半导体器件的电容器的方法 [P].

李起正 .

中国专利 :CN1722384A ,2006-01-18

[9]

电容器、半导体存储器件及制造电容器的方法 [P].

李正贤 ;

朴星昊 ;

徐范锡 .

中国专利 :CN1738062A ,2006-02-22

[10]

用于制造半导体电容器的方法 [P].

韩熙 ;

金璟晙 ;

崔棅圭 .

中国专利 :CN101689549A ,2010-03-31

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-12-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20051025 授权公告日:20090218 终止日期:20161025
2009-02-18	授权	授权
2006-06-28	公开	公开