一种IGBT芯片排布结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011230498.2
申请日
2020-11-06
公开(公告)号
CN112635407A
公开(公告)日
2021-04-09
发明(设计)人
马克·拉斐尔·施奈尔 斯万·马蒂亚斯 梁杰 张强
申请人
申请人地址
314100 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路56号CAF变流车间东
IPC主分类号
H01L2314
IPC分类号
H01L23367 H01L2352 H01L29739 H01L29861
代理机构
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489
代理人
燕宏伟;章洪
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种IGBT芯片排布结构 [P]. 
马克·拉斐尔·施奈尔 ;
斯万·马蒂亚斯 ;
梁杰 ;
张强 .
中国专利 :CN213150759U ,2021-05-07
[2]
一种新封装结构的三电平IGBT模块 [P]. 
姜季均 ;
侯善桤 ;
岳远鹏 .
中国专利 :CN211957641U ,2020-11-17
[3]
一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
庄伟东 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN108074917A ,2018-05-25
[4]
一种大功率IGBT芯片的封装结构 [P]. 
朱继权 .
中国专利 :CN208352289U ,2019-01-08
[5]
一种IGBT模块内部芯片结温测试方法 [P]. 
王志超 ;
卢小东 ;
徐妙玲 ;
季莎 ;
崔志勇 ;
胡羽中 .
中国专利 :CN106771946A ,2017-05-31
[6]
一种IGBT芯片的结构 [P]. 
邓华鲜 .
中国专利 :CN204706564U ,2015-10-14
[7]
IGBT芯片的结构 [P]. 
邓华鲜 .
中国专利 :CN104835841B ,2015-08-12
[8]
一种IGBT芯片结构 [P]. 
红梅 .
中国专利 :CN103779403A ,2014-05-07
[9]
一种IGBT芯片结构 [P]. 
王洋 .
中国专利 :CN218333758U ,2023-01-17
[10]
一种IGBT芯片结构 [P]. 
黄昌民 .
中国专利 :CN213601856U ,2021-07-02