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光致抗蚀剂层的表面处理方法及光致抗蚀剂层的形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200510051613.9
申请日
:
2005-02-08
公开(公告)号
:
CN1818799B
公开(公告)日
:
2006-08-16
发明(设计)人
:
黄国书
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
:
G03F726
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
陶凤波;侯宇
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2006-10-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-08-16
公开
公开
2010-11-17
授权
授权
共 50 条
[1]
光致抗蚀剂层表面处理和形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
郭怡辰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
郭怡辰
;
刘之诚
论文数:
0
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0
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
刘之诚
;
翁明晖
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
翁明晖
;
魏嘉林
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
魏嘉林
;
陈彦儒
论文数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
陈彦儒
;
李志鸿
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
李志鸿
;
郑雅如
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
郑雅如
;
杨棋铭
论文数:
0
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0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨棋铭
;
李资良
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0
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0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
李资良
;
张庆裕
论文数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张庆裕
.
中国专利
:CN113156770B
,2025-01-17
[2]
光致抗蚀剂层的形成方法
[P].
刘宇桓
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刘宇桓
;
陈志荣
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陈志荣
;
黄志忠
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黄志忠
.
中国专利
:CN101539724A
,2009-09-23
[3]
光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
郭怡辰
论文数:
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郭怡辰
;
刘之诚
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刘之诚
;
翁明晖
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翁明晖
;
魏嘉林
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魏嘉林
;
陈彦儒
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0
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陈彦儒
;
李志鸿
论文数:
0
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李志鸿
;
郑雅如
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郑雅如
;
杨棋铭
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杨棋铭
;
李资良
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李资良
;
张庆裕
论文数:
0
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0
张庆裕
.
中国专利
:CN113156770A
,2021-07-23
[4]
光致抗蚀剂层的显影方法
[P].
张庆裕
论文数:
0
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0
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0
张庆裕
.
中国专利
:CN1696834A
,2005-11-16
[5]
图案化光致抗蚀剂层的形成方法
[P].
黄萌祺
论文数:
0
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0
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黄萌祺
;
林正轩
论文数:
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0
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0
林正轩
;
张复瑜
论文数:
0
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0
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0
张复瑜
.
中国专利
:CN101561627A
,2009-10-21
[6]
正性光致抗蚀剂和形成光致抗蚀剂的方法
[P].
增田靖男
论文数:
0
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0
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0
增田靖男
;
奥井俊树
论文数:
0
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0
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0
奥井俊树
.
中国专利
:CN100404573C
,2006-08-23
[7]
光致抗蚀剂下层和形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
訾安仁
论文数:
0
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0
訾安仁
;
林进祥
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0
林进祥
;
张庆裕
论文数:
0
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0
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0
张庆裕
.
中国专利
:CN113176708A
,2021-07-27
[8]
光致抗蚀剂组合物及形成光致抗蚀剂图案的方法
[P].
郑载昌
论文数:
0
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0
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0
郑载昌
.
中国专利
:CN100383666C
,2005-05-25
[9]
光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法
[P].
邓强
论文数:
0
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0
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0
邓强
.
中国专利
:CN109254507A
,2019-01-22
[10]
负型光致抗蚀剂及形成光致抗蚀图的方法
[P].
岸村真治
论文数:
0
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0
岸村真治
.
中国专利
:CN1131754A
,1996-09-25
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