一种扩散阻挡层的制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN200710037620.2
申请日
2007-02-16
公开(公告)号
CN101017793A
公开(公告)日
2007-08-15
发明(设计)人
康晓旭
申请人
申请人地址
201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼B区
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L21321 H01L2128
代理机构
上海智信专利代理有限公司
代理人
王洁
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法 [P]. 
康晓旭 .
中国专利 :CN101345208A ,2009-01-14
[2]
扩散阻挡层和扩散阻挡层的制造方法 [P]. 
M·哈拉兹奥尔松 ;
H·特兰夸克 ;
A·加利相 .
中国专利 :CN1977404A ,2007-06-06
[3]
制作扩散阻挡层的方法 [P]. 
徐强 .
中国专利 :CN102110639A ,2011-06-29
[4]
包含α-Ta层的扩散阻挡层的制备方法以及复合扩散阻挡层 [P]. 
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刘洋 ;
何丹丹 ;
汪雷 ;
王婷 .
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[5]
铜扩散阻挡层的制备方法 [P]. 
朱德龙 .
中国专利 :CN110957264A ,2020-04-03
[6]
一种铜阻挡层制作方法 [P]. 
周鸣 .
中国专利 :CN103187358B ,2013-07-03
[7]
包含α-Ta层的扩散阻挡层的制备方法以及复合扩散阻挡层 [P]. 
任兴润 ;
王婷 ;
汪雷 ;
刘洋 ;
何丹丹 .
中国专利 :CN110970349A ,2020-04-07
[8]
扩散阻挡层与铜互连线层制作的方法 [P]. 
罗先刚 ;
乔帮威 ;
高平 ;
向遥 ;
曾鑫 ;
邓坤 .
中国专利 :CN117524979A ,2024-02-06
[9]
扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P]. 
斯蒂芬·A·科恩 ;
蒂莫西·J·多尔顿 ;
约翰·A·费兹西蒙斯 ;
斯蒂芬·M·盖兹 ;
莱恩·M·基格纳克 ;
保罗·C·詹米森 ;
康-吾·李 ;
辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;
达尔·D·利斯坦诺 ;
伊万·西蒙尼 ;
霍雷肖·S·威尔德曼 .
中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15
[10]
扩散阻挡层的淀积方法 [P]. 
阿加伊·加因 ;
伊利沙白·威茨曼 .
中国专利 :CN1195188A ,1998-10-07