采用臭氧等离子体的氧自由基增强的原子层沉积

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510103249.X

申请日：

2015-03-10

公开(公告)号：

CN105177527A

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

A·W·泽弗洛普洛

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23C1640

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101709359664 IPC(主分类):C23C 16/44 专利申请号:201510103249X 申请日:20150310
2020-04-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/44 申请公布日:20151223
2015-12-23	公开	公开

共 50 条

[1]

使用CF4来增强氧自由基产生的自由基增强的原子层沉积 [P].

A·W·扎菲罗波洛 ;

M·J·索瓦 .

中国专利 :CN105386010A ,2016-03-09

[2]

金属的等离子体增强低温原子层沉积 [P].

亚历山大·雷·福克斯 ;

伊尔哈姆·莫希米 ;

乔恩·亨利 ;

安·埃里克森 ;

照健·史蒂文·黎 ;

帕特里克·奥古斯特·范克莱姆普特 ;

基莱·乔丹·布莱克内 ;

大卫·约瑟夫·曼迪亚 .

美国专利 :CN119403957A ,2025-02-07

[3]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

王东君 .

中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04

[4]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

朱雨 .

中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22

[5]

等离子体增强原子层沉积设备 [P].

朱雨 .

中国专利 :CN119144944A ,2024-12-17

[6]

等离子体增强原子层沉积的镀膜工艺 [P].

陈桉苡 ;

刘安徽 ;

黄俊凯 ;

叶昌鑫 ;

沈纬徵 ;

郑博鸿 .

中国专利 :CN118086874A ,2024-05-28

[7]

等离子体增强原子层沉积的镀膜工艺 [P].

陈桉苡 ;

刘安辉 ;

黄俊凯 ;

叶昌鑫 ;

沈纬徵 ;

郑博鸿 .

中国专利 :CN118086874B ,2024-09-06

[8]

等离子体增强原子层沉积系统和方法 [P].

松田司 .

中国专利 :CN101147248A ,2008-03-19

[9]

用于自由基增强薄膜沉积的氧自由基产生 [P].

E.R.迪基 ;

W.A.巴罗 .

中国专利 :CN102753726B ,2012-10-24

[10]

等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备 [P].

J·帕茨谢德尔 ;

H·罗尔曼 ;

J·维查尔特 ;

F·布里特 .

中国专利 :CN112771201A ,2021-05-07

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