半导体器件检测系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01808487.7

申请日：

2001-04-24

公开(公告)号：

CN1211851C

公开(公告)日：

2003-08-06

发明(设计)人：

唐沢涉

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

陆锦华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-05-11	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20010424 授权公告日:20050720
2003-08-06	公开	公开
2005-07-20	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102778642B ,2012-11-14

[2]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102214549A ,2011-10-12

[3]

半导体器件检测装置 [P].

古田胜信 ;

后藤敏雄 .

中国专利 :CN1192042A ,1998-09-02

[4]

晶粒裂纹检测系统和半导体器件 [P].

马里亚诺·埃尔科利 ;

史蒂芬·马洛德特 ;

巴特·范维尔岑 .

:CN120453263A ,2025-08-08

[5]

半导体器件和半导体器件系统 [P].

长尾圭 .

日本专利 :CN114930268B ,2024-05-17

[6]

半导体器件和半导体器件系统 [P].

成田幸辉 .

日本专利 :CN111312705B ,2024-10-25

[7]

半导体器件和半导体器件系统 [P].

长尾圭 .

中国专利 :CN114930268A ,2022-08-19

[8]

半导体器件和半导体器件系统 [P].

成田幸辉 .

中国专利 :CN111312705A ,2020-06-19

[9]

半导体器件的检测方法 [P].

卢志林 ;

吴冰星 ;

陈荣华 ;

陈孝炳 ;

卓依婧 ;

吴道初 .

中国专利 :CN117491832A ,2024-02-02

[10]

半导体器件在位检测装置 [P].

王焕平 .

中国专利 :CN202916452U ,2013-05-01

← 1 2 3 4 5 →