掩膜版及双重图形化法的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510690769.5

申请日：

2015-10-22

公开(公告)号：

CN106610563A

公开(公告)日：

2017-05-03

发明(设计)人：

余云初沈忆华潘见傅丰华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F136

IPC分类号：

G03F176

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101722958914 IPC(主分类):G03F 1/36 专利申请号:2015106907695 申请日:20151022
2017-05-03	公开	公开
2020-10-09	授权	授权

共 50 条

[1]

双重图形化的方法 [P].

王彦 ;

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN107785252A ,2018-03-09

[2]

双重图形化的方法 [P].

张城龙 ;

郑二虎 .

中国专利 :CN106960816A ,2017-07-18

[3]

双重图形化的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN104752170B ,2015-07-01

[4]

三重图形化的方法 [P].

沈忆华 ;

余云初 .

中国专利 :CN107785242A ,2018-03-09

[5]

自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111524795A ,2020-08-11

[6]

自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111524795B ,2024-02-27

[7]

光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版 [P].

王杰 ;

秦学飞 ;

薛粉 ;

丛林娜 .

中国专利 :CN111435218A ,2020-07-21

[8]

掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构 [P].

秦学飞 ;

王杰 ;

薛粉 ;

凌文君 ;

李德建 .

中国专利 :CN112394614B ,2024-12-17

[9]

掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构 [P].

秦学飞 ;

王杰 ;

薛粉 ;

凌文君 ;

李德建 .

中国专利 :CN112394614A ,2021-02-23

[10]

图形化基底的制备方法、图形化基底及半导体器件 [P].

林源为 .

中国专利 :CN119317251A ,2025-01-14

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