掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910753709.1

申请日：

2019-08-15

公开(公告)号：

CN112394614B

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

秦学飞王杰薛粉凌文君李德建

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F1/72

IPC分类号：

G03F1/74

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	授权	授权

共 50 条

[1]

掩膜版、掩膜版缺陷修复方法、掩膜版的使用方法以及半导体结构 [P].

秦学飞 ;

王杰 ;

薛粉 ;

凌文君 ;

李德建 .

中国专利 :CN112394614A ,2021-02-23

[2]

半导体掩膜版 [P].

豆海清 ;

陈韦斌 ;

刘立芃 .

中国专利 :CN214542131U ,2021-10-29

[3]

光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版 [P].

王杰 ;

秦学飞 ;

薛粉 ;

丛林娜 .

中国专利 :CN111435218A ,2020-07-21

[4]

一种掩膜版缺陷的修复方法、掩膜版的制备方法及掩膜版 [P].

张哲玮 ;

王梅侠 .

中国专利 :CN114815498A ,2022-07-29

[5]

掩膜版及半导体结构 [P].

金普楠 .

中国专利 :CN119247687A ,2025-01-03

[6]

一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法 [P].

施维 .

中国专利 :CN108073035A ,2018-05-25

[7]

掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

舒强 ;

覃柳莎 ;

张迎春 .

中国专利 :CN113075856B ,2024-06-18

[8]

掩膜版图形、掩膜版以及半导体结构的形成方法 [P].

王占雨 ;

舒强 ;

覃柳莎 ;

张迎春 .

中国专利 :CN113075856A ,2021-07-06

[9]

半导体结构及掩膜版版图 [P].

江慧 ;

王志高 .

中国专利 :CN118742197A ,2024-10-01

[10]

掩膜版版图以及形成半导体结构的方法 [P].

余云初 ;

沈忆华 ;

潘见 ;

傅丰华 .

中国专利 :CN106610562B ,2017-05-03

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