光半导体装置用引线框架及其制造方法、及光半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080034641.9

申请日：

2010-06-23

公开(公告)号：

CN102473830A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

小林良聪小关和宏菊池伸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3362

IPC分类号：

H01L3360

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

刘晓迪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	公开	公开
2015-04-29	授权	授权
2018-07-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/62 申请日:20100623 授权公告日:20150429 终止日期:20170623
2012-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101312911839 IPC(主分类):H01L 33/62 专利申请号:2010800346419 申请日:20100623

共 50 条

[1]

光半导体装置用引线框架及其制造方法以及光半导体装置 [P].

小林良聪 ;

菊池伸 .

中国专利 :CN102804429A ,2012-11-28

[2]

光半导体装置用引线框架、光半导体装置用引线框架的制造方法以及光半导体装置 [P].

小林良聪 ;

松田晃 ;

铃木智 ;

菊池伸 ;

橘昭赖 ;

座间悟 .

中国专利 :CN102844897B ,2012-12-26

[3]

光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置 [P].

小林良聪 ;

小关和宏 ;

菊池伸 .

中国专利 :CN102265417A ,2011-11-30

[4]

光半导体装置用引线框及其制造方法 [P].

小林良聪 ;

小关和宏 ;

菊池伸 .

中国专利 :CN102257647A ,2011-11-23

[5]

半导体装置的制造方法、半导体装置、及引线框架 [P].

石井齐 .

中国专利 :CN106531712A ,2017-03-22

[6]

引线框架及其制造方法、半导体装置 [P].

曾根原袈裟幸 .

中国专利 :CN118738007A ,2024-10-01

[7]

引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P].

笠原哲一郎 ;

松泽秀树 ;

大串正幸 ;

坂井直也 .

中国专利 :CN107039387B ,2017-08-11

[8]

半导体装置用引线框架 [P].

关和光 ;

吉江崇 ;

佐藤晴信 .

中国专利 :CN1306676A ,2001-08-01

[9]

引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P].

出冈淳 ;

林真太郎 ;

泷泽武志 .

日本专利 :CN121149120A ,2025-12-16

[10]

引线框架、半导体装置及引线框架的制造方法 [P].

出冈淳 ;

石田公一 .

中国专利 :CN115588657A ,2023-01-10

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