等离子体表面处理设备和等离子体设备腔体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710343046.7

申请日：

2017-05-16

公开(公告)号：

CN107424897B

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

唐玄玄彭帆

申请人：

申请人地址：

200241 上海市闵行区东川路555号戊楼4026室

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

侯莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20170516
2017-12-01	公开	公开
2019-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

等离子体表面处理设备 [P].

万良淏 ;

徐龙 ;

万京林 .

中国专利 :CN211238156U ,2020-08-11

[2]

真空等离子体表面处理设备 [P].

刘善双 ;

毕学谦 ;

刘镇伟 .

中国专利 :CN203691734U ,2014-07-02

[3]

等离子体产生设备及等离子体处理设备 [P].

尤里·N·托尔马切夫 ;

马东俊 ;

金大一 ;

瑟吉·Y·纳瓦拉 .

中国专利 :CN1652661A ,2005-08-10

[4]

等离子体设备和等离子体处理方法 [P].

叶江波 ;

钱俊 ;

肖禄 .

中国专利 :CN109564987A ,2019-04-02

[5]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

菅井秀郎 ;

井出哲也 ;

佐佐木厚 ;

东和文 ;

中田行彦 .

中国专利 :CN1670912A ,2005-09-21

[6]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

李勇锡 ;

郑石源 ;

许明洙 ;

安美罗 .

中国专利 :CN104576282A ,2015-04-29

[7]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

宇井明生 ;

林久贵 ;

富冈和广 ;

山本洋 ;

今村翼 .

中国专利 :CN103681196A ,2014-03-26

[8]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

山崎圭一 ;

猪冈结希子 ;

泽田康志 ;

田口典幸 ;

中园佳幸 ;

仲野章生 .

中国专利 :CN1165208C ,2002-02-06

[9]

等离子体处理设备和等离子体处理方法 [P].

岩井哲博 ;

有田洁 .

中国专利 :CN1669109A ,2005-09-14

[10]

等离子体处理方法和等离子体处理设备 [P].

奥村智洋 ;

佐佐木雄一朗 ;

冈下胜己 ;

金成国 ;

前嶋聪 ;

伊藤裕之 ;

中山一郎 ;

水野文二 .

中国专利 :CN101053066A ,2007-10-10

← 1 2 3 4 5 →