激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁碳薄膜材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910081398.5

申请日：

2009-04-03

公开(公告)号：

CN101550530A

公开(公告)日：

2009-10-07

发明(设计)人：

章晓中万蔡华高熙礼张歆吴利华

申请人：

申请人地址：

100084北京市100084-82信箱

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1428 H01L310288 H01L3118

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：

童晓琳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101661883211 IPC(主分类):C23C 14/06 专利号:ZL2009100813985 申请日:20090403 授权公告日:20101110 终止日期:20150403
2009-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-07	公开	公开
2010-11-10	授权	授权

共 49 条

[1]

具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法 [P].

谭新玉 ;

章晓中 ;

王集敏 ;

万蔡华 .

中国专利 :CN101840941B ,2010-09-22

[2]

用激光脉冲沉积法制备室温正巨磁阻效应的铁碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

薛庆忠 ;

朱丹丹 .

中国专利 :CN1200468C ,2003-06-04

[3]

具有光伏和光电导效应的薄膜材料的制备方法 [P].

李世杰 ;

王虎 ;

郑钦 ;

唐宏芬 .

中国专利 :CN105702761A ,2016-06-22

[4]

一种具有光电导效应的掺杂型薄膜材料 [P].

方泽波 ;

周小洁 ;

叶聪 ;

徐海涛 .

中国专利 :CN106449886A ,2017-02-22

[5]

具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法 [P].

章晓中 ;

张歆 ;

王集敏 ;

谭新玉 .

中国专利 :CN102102172B ,2011-06-22

[6]

一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法 [P].

章晓中 ;

吴利华 ;

万蔡华 .

中国专利 :CN101777590B ,2010-07-14

[7]

用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

薛庆忠 ;

田鹏 .

中国专利 :CN1267575C ,2004-04-07

[8]

用PLD方法制备的具有正巨磁阻效应的钴碳薄膜材料 [P].

章晓中 ;

朱丹丹 ;

薛庆忠 .

中国专利 :CN1188543C ,2003-04-23

[9]

一种具有光电导效应的钯掺杂碳膜/氧化物/半导体材料 [P].

王盛 ;

薛庆忠 ;

马明 ;

李建鹏 ;

甄玉花 .

中国专利 :CN102214722A ,2011-10-12

[10]

激光脉冲溅射沉积制备多晶硅薄膜的方法 [P].

王宙 ;

骆旭梁 ;

董桂馥 ;

付传起 ;

雍帆 ;

张庆乐 .

中国专利 :CN104790032A ,2015-07-22

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