激光脉冲沉积法制备白光光电导效应的掺铁碳薄膜材料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910081398.5
申请日
2009-04-03
公开(公告)号
CN101550530A
公开(公告)日
2009-10-07
发明(设计)人
章晓中 万蔡华 高熙礼 张歆 吴利华
申请人
申请人地址
100084北京市100084-82信箱
IPC主分类号
C23C1406
IPC分类号
C23C1428 H01L310288 H01L3118
代理机构
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人
童晓琳
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 49 条
[11]
一种具有日光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法 [P]. 
谭新玉 ;
章晓中 ;
高熙礼 ;
万蔡华 .
中国专利 :CN102263143A ,2011-11-30
[12]
可制备平整的薄膜材料的脉冲激光沉积方法及其装置 [P]. 
沈维康 ;
马玉蓉 ;
方容川 ;
王冠中 ;
韩新海 .
中国专利 :CN1389590A ,2003-01-08
[13]
激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法 [P]. 
方庆清 ;
张瀚铭 .
中国专利 :CN102372500A ,2012-03-14
[14]
脉冲激光沉积法制备Al-N共掺杂P型ZnO薄膜 [P]. 
韩培培 ;
王丽 ;
权纯逸 ;
连建设 .
中国专利 :CN103290366A ,2013-09-11
[15]
一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法 [P]. 
孙佳 ;
靳晨星 ;
阳军亮 ;
周博升 .
中国专利 :CN114512550B ,2024-01-16
[16]
一种具有负光电导效应的晶体管及其制备方法 [P]. 
孙佳 ;
靳晨星 ;
阳军亮 ;
周博升 .
中国专利 :CN114512550A ,2022-05-17
[17]
一种具有光电导效应的有机无机杂化材料晶体及其应用 [P]. 
王守宇 ;
陈晓丽 ;
雷蕴麟 ;
刘卫芳 ;
刘慧兰 .
中国专利 :CN110194780A ,2019-09-03
[18]
脉冲激光沉积制备低带隙铁电光伏薄膜的方法 [P]. 
何云斌 ;
徐芳 ;
黎明锴 ;
周桃生 .
中国专利 :CN104388894A ,2015-03-04
[19]
一种短脉冲激光沉积薄膜的制备方法 [P]. 
李楠 ;
陈波 ;
李培源 ;
夏洋 ;
卢维尔 .
中国专利 :CN112853278B ,2021-05-28
[20]
一种Cs2SnI6薄膜的激光脉冲沉积制备方法 [P]. 
罗派峰 ;
夏伟 ;
周圣稳 .
中国专利 :CN105925938B ,2016-09-07