一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610014597.0

申请日：

2006-06-30

公开(公告)号：

CN101096573A

公开(公告)日：

2008-01-02

发明(设计)人：

仲跻和李家荣周云昌高如山

申请人：

申请人地址：

300385天津市天津开发区微电子工业区中晓园2-B号

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

C09G104

代理机构：

国嘉律师事务所

代理人：

卢枫

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高抛光效率的二氧化硅抛光液及其制备方法 [P].

李春生 ;

李明月 ;

高礼明 .

中国专利 :CN118222190A ,2024-06-21

[2]

铜抛光中用的纳米二氧化硅磨料抛光液 [P].

仲跻和 .

中国专利 :CN101368068A ,2009-02-18

[3]

二氧化硅抛光液及其制备方法 [P].

苏宏久 ;

王卓杰 ;

李德翔 ;

雒睿雯 ;

宋平 .

中国专利 :CN119899592A ,2025-04-29

[4]

一种改性纳米二氧化硅复合抛光液及其应用 [P].

石峰 ;

张万里 ;

戴一帆 ;

彭小强 ;

宋辞 ;

宋家亮 .

中国专利 :CN108587478A ,2018-09-28

[5]

一种SIC晶圆CMP抛光用二氧化硅抛光液及其制备方法 [P].

向定艾 .

中国专利 :CN115418169A ,2022-12-02

[6]

一种二氧化硅抛光液及其制备方法 [P].

常磊 ;

付素荣 ;

王志伟 ;

王国维 ;

王森 ;

汪静 .

中国专利 :CN114015359A ,2022-02-08

[7]

一种去除二氧化硅颗粒的抛光液 [P].

杨三贵 ;

刘治州 ;

康徐芳 .

中国专利 :CN108102554A ,2018-06-01

[8]

一种二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法 [P].

高桂花 ;

张兰田 .

中国专利 :CN102796460A ,2012-11-28

[9]

微晶玻璃加工用纳米二氧化硅磨料抛光液及其制备方法 [P].

仲路和 .

中国专利 :CN101050338A ,2007-10-10

[10]

一种纳米二氧化硅磨料抛光液的制备方法 [P].

仲跻和 .

中国专利 :CN101307211A ,2008-11-19

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