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一种SIC晶圆CMP抛光用二氧化硅抛光液及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202211179183.9
申请日：
2022-09-27
公开(公告)号：
CN115418169A
公开(公告)日：
2022-12-02
发明(设计)人：
向定艾
申请人：
申请人地址：
618000 四川省德阳市旌阳区天元镇(景福)秋月村四组6幢
IPC主分类号：
C09G102
IPC分类号：
H01L2102
代理机构：
成都汇浪淘知识产权代理事务所(普通合伙) 51381
代理人：
陈莉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-12-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20220927
2022-12-02 公开 公开
共 50 条
[1]
一种SIC晶圆CMP抛光用氧化铝抛光液及其制备方法 [P]. 
向定艾 .
中国专利 :CN115418170A ,2022-12-02
[2]
一种高抛光效率的二氧化硅抛光液及其制备方法 [P]. 
李春生 ;
李明月 ;
高礼明 .
中国专利 :CN118222190A ,2024-06-21
[3]
铜抛光中用的纳米二氧化硅磨料抛光液 [P]. 
仲跻和 .
中国专利 :CN101368068A ,2009-02-18
[4]
一种二氧化硅基CMP抛光液及其制备方法 [P]. 
高桂花 ;
张兰田 .
中国专利 :CN102796460A ,2012-11-28
[5]
微晶玻璃加工用纳米二氧化硅磨料抛光液及其制备方法 [P]. 
仲路和 .
中国专利 :CN101050338A ,2007-10-10
[6]
一种改性纳米二氧化硅复合抛光液及其应用 [P]. 
石峰 ;
张万里 ;
戴一帆 ;
彭小强 ;
宋辞 ;
宋家亮 .
中国专利 :CN108587478A ,2018-09-28
[7]
一种用于二氧化硅介质的抛光液及其制备方法 [P]. 
仲跻和 ;
李家荣 ;
周云昌 ;
高如山 .
中国专利 :CN101096573A ,2008-01-02
[8]
一种碳化硅晶圆抛光用的抛光液及其制备方法 [P]. 
颜杰钦 ;
郭东勇 ;
李泽辉 .
中国专利 :CN120888243A ,2025-11-04
[9]
二氧化硅抛光液及其制备方法 [P]. 
苏宏久 ;
王卓杰 ;
李德翔 ;
雒睿雯 ;
宋平 .
中国专利 :CN119899592A ,2025-04-29
[10]
微晶玻璃加工用的纳米二氧化硅磨料抛光液 [P]. 
仲跻和 .
中国专利 :CN101368070A ,2009-02-18
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