半导体制造系统、测量装置及半导体制造方法

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申请号
CN202110629003.1
申请日
2021-06-07
公开(公告)号
CN114783901A
公开(公告)日
2022-07-22
发明(设计)人
简志叡 黄韦智
申请人
申请人地址
中国台湾新北市泰山区南林路98号
IPC主分类号
H01L2167
IPC分类号
H01L2166
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
浦彩华;姚开丽
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造装置、半导体制造系统及半导体器件的制造方法 [P]. 
小桥英晴 .
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[2]
半导体制造系统 [P]. 
伴功二 ;
出水清史 .
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[3]
半导体制造装置、半导体制造工厂及半导体制造方法 [P]. 
南出由生 ;
和田直之 .
日本专利 :CN120418927A ,2025-08-01
[4]
半导体制造装置和半导体制造方法 [P]. 
冈部庸之 ;
金子健吾 .
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[5]
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申平洙 ;
金秉勳 .
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[6]
半导体制造方法及半导体制造装置 [P]. 
川崎辉尚 ;
青柳克信 ;
黒濑范子 .
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[7]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
申平洙 ;
金秉勳 .
中国专利 :CN103137415A ,2013-06-05
[8]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
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[9]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
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[10]
半导体制造装置及半导体制造方法 [P]. 
田中博司 .
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